簡介

PMS-500 平面磁控濺射設備是大規模集成電路硅片沉積AI、Si-AI 或 Si-AI-Cn 等薄膜的專用設備,也適用於在片狀基體上沉積其它非導磁性單金屬或合金薄膜,是微電子工業、科學研究工作等必不可少的先進的真空鍍膜設備。        由於採用箱式工作室、可拆卸的基片架和濺射材料的定向屏蔽等,設備使用、操作、清洗、維修方便。       

真空機組抽氣能力大,基體夾具裝片量多,設備工具效率高。       

濺射氣體壓強調節、基片架轉速調節和靶的參數調節穩定。鍍膜工藝重複性好。        基體帶有負偏壓,具有反濺射功能。       

膜層致密,與基片附著力強,厚度均勻,台階覆蓋效果好,電子對基片損傷小,薄膜的合金成份基本與靶的合金成份相同。

主要技術性能規範

1工作室尺寸500x620mm 箱式
2平面磁控靶:420 x 110mm x 2個
*    靶功率10kW, DC
*    濺射速率  (靜止狀態,對 Si-AI) 
>6000A/min
3基件夾具轉速:1 ~ 16轉 / 分,可調
*    烘烤溫度 (基片靜止狀態)
最高 350C
*    裝片量f50mm x 72片,
f75mm x 48片, 
f100mm x 24片
4極限真空度:(使用LN2)     10-7
*    恢復真空時間 (使用LN) 760 ~ 1 x10-5托< 20分鐘
*     濺射氣體壓強自動穩定調節範圍10-5 ~ 10-2
5薄膜厚度Si-AI 膜 1.2m  20分鐘之內
 (片內、片間、爐間)< +
 5%
6工作周期  < 100分鐘
7總功率25kW
8體積2000 x 1800 x 1800mm
9總重量2000kg
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