簡介
PMS-500 平面磁控濺射設備是大規模集成電路硅片沉積AI、Si-AI 或 Si-AI-Cn 等薄膜的專用設備，也適用於在片狀基體上沉積其它非導磁性單金屬或合金薄膜，是微電子工業、科學研究工作等必不可少的先進的真空鍍膜設備。 由於採用箱式工作室、可拆卸的基片架和濺射材料的定向屏蔽等，設備使用、操作、清洗、維修方便。
真空機組抽氣能力大，基體夾具裝片量多，設備工具效率高。
濺射氣體壓強調節、基片架轉速調節和靶的參數調節穩定。鍍膜工藝重複性好。 基體帶有負偏壓，具有反濺射功能。
膜層致密，與基片附著力強，厚度均勻，台階覆蓋效果好，電子對基片損傷小，薄膜的合金成份基本與靶的合金成份相同。
主要技術性能規範
| 1 | 工作室尺寸 | 500x620mm 箱式 |
| 2 | 平面磁控靶: | 420 x 110mm x 2個 |
| * 靶功率 | 10kW, DC | |
| * 濺射速率 (靜止狀態，對 Si-AI) | >6000A/min | |
| 3 | 基件夾具轉速: | 1 ~ 16轉 / 分，可調 |
| * 烘烤溫度 (基片靜止狀態) | 最高 350。C | |
| * 裝片量 | f50mm x 72片， f75mm x 48片， f100mm x 24片 | |
| 4 | 極限真空度: | (使用LN2) 10-7托 |
| * 恢復真空時間 | (使用LN) 760 ~ 1 x10-5托< 20分鐘 | |
| * 濺射氣體壓強自動穩定調節範圍 | 10-5 ~ 10-2托 | |
| 5 | 薄膜厚度 | Si-AI 膜 1.2m 20分鐘之內 |
| (片內、片間、爐間)< + 5% | ||
| 6 | 工作周期 | < 100分鐘 |
| 7 | 總功率 | 25kW |
| 8 | 體積 | 2000 x 1800 x 1800mm |
| 9 | 總重量 | 2000kg |